光譜輻射儀 BTS2048-紫外線 高光學分辨率

使用這款高質量的緊湊型光譜輻射儀在紫外光下進行測量

?高雜散光減少（BTS2048-UV-S 的縮小濾光片版本）

?超快速接口和電子快門

?高光學分辨率

?適用于各種測量任務（UV LED、氘燈、鎢燈到太陽輻射）

?高雜散光減少有助于將精確校準轉換為精確測量

光譜輻射儀 BTS2048-紫外線 高光學分辨率

紫外 CCD 光譜輻射儀與寬帶 CCD 光譜儀

傳統 CCD 探測器的光譜響應度通常在 200 nm 至 430 nm 范圍內。通常，CCD 探測器的這個寬光譜響應范圍被稱為光譜輻射計的響應范圍。然而，這沒有考慮色散光柵的光譜響應函數，這進一步降低了檢測器在紫外光譜中的響應度。這會導致 UV 測量信號出現重大誤差，主要是通過長波雜散光。寬帶光譜儀的光譜分辨率通常不足以保證精確測量窄帶 UV LED。

專為紫外輻射設計的 CCD 光譜儀具有有限的光譜范圍，并允許非常高的光柵效率和非常高的光譜分辨率。此外，濾光片還可用于顯著減少雜散光。

用于紫外線輻射的 BTS2048-UV CCD 分光輻射儀

BTS2048-UV 滿足高-端紫外二極管陣列光譜儀的所有要求，盡管采用尖-端技術，但價格極-具吸引力。

BiTec 傳感器的一個獨-特之處在于它結合了背照式 CCD 光譜儀和硅光電二極管，可提供高線性度，從而實現極快的測量 （參見有關 BiTec 傳感器的技術文章 ）。 采用熱電冷卻的完-全線性化 2048 像素 CCD 探測器的積分時間范圍為 2 μs 至 60 s，因此具有非常寬的動態范圍。這使得能夠在較寬的強度范圍內精確測量 UV LED。該設計在整個光譜測量范圍內提供了 0.8 納米的高光學分辨率，從 190 納米到 430 納米。光譜儀還配備了兩個用于自動低雜散光測量的濾光片（參見我們關于分光輻射儀雜散光減少的技術文章）。 對于存在其他光源的寬帶 UV 燈和 UV LED 來說，這種測量是必要的。BiTec 探測器內的極-高線性度 SiC 光電二極管用于 CCD 的線性化或用作參考探測器。SiC 光電二極管的輻射響應功能使其能夠獨立于 CCD 使用。輻射精度可以使用相應的光譜數據進行自動校正。因此，該設備可用于對非常微弱的信號進行快速測量，這使得 BTS20418-UV 非常適合集成到測角儀中。盡管尺寸緊湊（103 mm x 107 mm x 52 mm – 長 x 寬 x 高），但 BTS2048-UV 光譜輻射儀具有一個帶兩個濾光片的遙控濾光輪和一個用于暗測量的快門。

精確光譜輻射測量（低雜散光）

為了便于優良地使用 CCD 傳感器的動態范圍并克服大多數陣列光譜輻射計在 UV 范圍內的問題，在光束路徑中放置了一個遙控濾光片輪（開放式、閉合式、濾光片）。該濾光片與智能測量和雜散光校正程序相結合，可實現 BTS2048-UV 的高質量測量。

BTS2048-UV 針對其他 UV 源的一般測量進行了優化。Gigahertz-Optik 的雜散光校準技術與進一步的智能測量程序相結合，可實現卓-越的雜散光抑制。 另請參閱我們關于光譜輻射儀雜散光減少的技術文章 。可根據要求選擇校準 BTS2048-UV 附加雜散光校正矩陣。

絕對校準，絕對輻照度低至 200 nm！

多年的經驗和設備齊全的 DAkkS 校準實驗室 （D-K-15047-01-00） 使 Gigahertz-Optik 能夠提供低至 200 nm 的可追溯校準。這拓寬了 BTS2048-UV 和 UV-C-LED 的應用范圍。對于短波光譜范圍，Gigahertz-Optik GmbH 實施了一種特殊的基于氘燈的校準策略。

用于前端和后端 LED 測試測量

BTS2048-UV 非常適合在工業應用中測試 UV 前端和后端 LED。其 CCD 檢測器在觸發測量之前集成了所有像素的電子零點設置功能（電子快門）。當測試 LED 在脈沖電流模式下運行時，電子快門和測量觸發可以通過觸發端口與電源同步。強大的微處理器只需 7 ms 即可通過快速 LAN 接口將完整的數據集傳輸到系統計算機。

直接安裝，無需使用導光板

BTS2048-UV 光譜輻射儀具有擴散窗口，因此可用于測量紫外線輻照度，包括光譜和峰值波長，無需任何額外的附件組件。借助擴散窗口，BTS2048-UV 還可以直接安裝在積分球、輻射鏡和測角儀等附件上，以測量輻射功率、輻射率和輻射分布。

用戶軟件和開發人員軟件

標準的 S-BTS2048 用戶軟件具有可定制的用戶界面，并提供大量的顯示和功能模塊，這些模塊可以在使用 Gigahertz-Optik GmbH 的相應附件組件配置 BTS2048-UV 時激活。S-SDK-BTS2048 開發人員軟件用于將 BTS2048-UV 集成到客戶自己的軟件中。

校準

光度測量設備的一個基本質量特征是其精確和可追溯的校準。BTS2048-UV 由 Gigahertz-Optik 的 ISO/IEC 17025 校準實驗室進行校準，該實驗室的光譜響應度和光譜輻照度已通過 DAkkS （D-K-15047-01-00） 的認可，符合 ISO/IEC 17025 標準。校準還包括相應的附件組件。每臺設備都附有相應的校準證書。

常規

簡短描述

紫外優化型 TE 冷卻 CCD 光譜儀，具有寬動態范圍，適用于連續波和輻照度、光譜和峰值波長的短期測量。其他參數的附件。

主要特點

緊湊型設備。BiTec 探測器，帶有背照式 TE 冷卻 CCD（2048 像素，0.8 nm 光學分辨率，電子快門）和 SiC 光電二極管。光學帶寬校正 （CIE214）。帶快門和邊緣濾光片的濾光片輪。帶擴散器窗口的輸入鏡頭。余弦視場。

測量范圍

3E-5 W/（m2nm） 至 3E4 W/（m2nm） @325nm。響應度從 190 nm 到 430 nm。

典型應用

用于設計應用的 CCD 光譜儀。用于集成到前端和后端 LED 測試測試系統中的模塊。

校準

工廠校準。可追溯至國際校準標準

產品

典型應用

用于光譜輻照度、紅斑等的測光表

測量數量

光譜輻照度 （W/（m2 nm））、輻照度 （W/m2）、峰值波長、中心波長、質心波長、紅斑。選項積分球：此外還有光譜輻射功率 （W/nm） 和輻射功率 （W）

輸入光學元件

擴散器，余弦校正視野 （f2 ≤ 3 %）

濾光片轉盤

4 個位置（開放、關閉、濾光片）。用于遠程暗電流測量和雜散光減少。

比特克

可以使用二極管和陣列進行并行測量，從而允許對光電二極管進行輻射縮放以匹配光譜數據。

校準不確定度

光譜輻照度

λu（k=2）

（200 - 239） 納米± 9 %

（240 - 339） 納米± 6.8 %

（340 - 359） 納米± 5 %

（360 - 399） 納米± 4.3 %

（400 - 430） 納米± 4 %

光譜輻照度響應度 （200 - 430） nm

測量模式

標準測量模式：200 nm 至 430 nm

超出范圍的雜散光校正測量模式 （OoR SLC）：200 nm 至 430 nm

雜散光校正帶通測量模式 （BP SLC）：300 nm 至 386 nm

光譜檢測器

積分時間

2 μs - 60 s *1

光譜范圍

（190 - 430） 納米

光帶寬

0.8 納米

像素分辨率

~0.13 nm/像素

像素數

2048

芯片

高靈敏度背薄型 CCD 芯片，單級冷卻 （1TEC）

模數轉換器

16 位（25 ns 指令周期時間）

峰值波長

± 0.05 納米

帶通校正

支持數學在線帶通校正

線性

完-全線性化芯片 >99.6%

雜散光

越界方法 < 1E-4 *3

基線噪聲

5 克拉 *4

信 噪 比

5000        *5

動態范圍

>9 星等

光譜響應度

（3E-5 - 3E4）W/（m2nm） @325nm *6*7

典型測量時間

W/m2 鹵素燈，波長范圍 （250 - 400） nm

14,4 秒

10440 毫秒

10044 毫秒

集成檢測器

測量時間

（0.1 - 6000） 毫秒

測量范圍

七 （7） 個測量范圍，具有卓-越的偏移校正

模數轉換器

16 位

測量范圍

可選：（5E-3 - 2E5） W/m2 *11

濾波器

對光譜數據中的矩形函數的響應度進行數學調整。

圖

光譜響應度

雜項

微處理器

32 位設備控制，16 位 CCD 陣列控制，8 位光電二極管控制

接口

USB V2.0、以太網（LAN UDP 協議）、RS232、RS485

數據傳輸

標準，通過以太網 7 毫秒，通過 USB 2.0 140 毫秒，2048 個浮點數組值

輸入接口

2 個 （0 - 25） VDC，1 個光耦合器隔離 5 V / 5 mA

輸出接口

2 個集電極開路，最大 25 V，最大 500 mA

觸發

包含觸發輸入（不同選項、上升沿/下降沿、延遲等）

軟件

用戶軟件 S-BTS2048

可選的軟件開發套件 S-SDK-BTS2048，用于基于 C、C++、C# 或 LabView .dll 的用戶軟件設置。

電源

帶電源：直流輸入 5V （±10 %），700 mA

帶 USB 總線 （500mA） *8

尺寸

103 毫米 x 107 毫米 x 52 毫米（長 x 寬 x 高）

重量

500 克

安裝

三腳架和 M6 螺紋

前適配器 UMPA-1.0-HL，用于積分球端口框架 UMPF-1.0-HL

溫度范圍

儲存：（-10 至 50）°C

作：（10 至 30）°C *9

信息

*1 建議對積分時間的每次變化執行新的暗信號測量

*2 典型值，主波長的不確定性取決于 LED 的光譜分布

*3 典型值，在冷白光寬帶 LED 峰值左側 100 nm 處測得，具有深藍色 LED 峰值

*4 *5 典型值，在 4ms 測量時間內未平均測量，并對陣列進行滿量程控制。平均導致 S/N 的二次上升

即基噪聲的二次下降，例如，平均到系數 100 會使 S/N 提高 10 倍

*6 最小 500/1 S/N. 滿量程控制時最大。

*7 為避免熱損傷，僅允許短時間照射

*8 在 USB 連接期間，由于電流供應有限，例如沒有以太網和 TEC 冷卻，并非所有功能都可用

*9 在大約 25 分鐘內實現溫度穩定所需的設備。在預熱階段進行測量，或者如果進行測量

在不同溫度下，每次測量都需要進行暗信號測量

*10 使用氘燈的 a（Z） 校正

*11 通過氘燈的光譜功率分布，最大輻射只允許很短的時間，以避免熱損傷